[8.1] LU6200/SU640 - 4.1内核3.4.0, 更换热插拔驱动改善CPU过热

主流简迷离

更新 2015/8/1
今天上一下帖子，看到有机油因为手机过热导致重启(也就是CPU飙到50度，高通的Thermald温控会让手机重启)
Faux123曾针对intelli_plug导致发热量大的问题开发了一款替代原生Thermald的温控系统，但无奈是仅适用
msm8974的核心，移植到msm8x60比较麻烦。于是内核换了一个新的，简单的热插拔AutoSMP。

主要更新内容：
1.内核增加新的CPU热插拔驱动AutoSMP(mrg666根据msm_mpdecision开发的CPU热插拔驱动)，
用以替换intelli_plug(intelli_plug仍然保留，并默认关闭);
2.增加查看实时CPU状态的功能(在热插拔时检测主核心(cpu0)寄存器，确定辅助核心(cpu1)是否
成功关闭，检查CPU热插拔驱动的有效性);
3.增加F2FS文件系统支持，接下来会测试F2FS的ROM效能，如果有较好的性能提升，则放出F2FS ROM;
4.CPU调速器AURORA与intellimm省电微调。intell_plug热插拔驱动双核心配置优化，优化线程数;
5.去除USB快速充电(此功能开启时无法与电脑进行USB数据交换，弊大于利);
6.去除msm原生热插拔相关功能，防止与现有热插拔驱动冲突;
7.去除内核AOUT, USB鼠标(USB鼠标需要手机支持OTG功能，620/640无OTG驱动支持);
8.使用glibc代码优化内存复制和移动，使用glibc速度在某些情况是内核代码的10倍;
9.使用了一些gcc优化选项编译内核;
10.细节优化&修复;


下载地址：
6200：

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640：

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使用方法：
Recovery刷入，刷前刷后都无需wipe;


另外提一点，CPU电压使用的是内核的动态调节，完全可以全局降压25-50mV，不会过多影响稳定性，
可以改善电池使用时长;




(以下内容已包含在新内核中)


更新 2015/7/21
这一次更新主要是不满意6200/640的LMK机制，很不合理，加上6200/640内核源码中
很多都是2012年的代码，连AOSP主线对于msm内核的重要更新都没有。
所以改起来比较痛苦，本来准备放出3.4.108内核的，发现合并kernel.org上的补丁后网络虽然连接上能上网，
但是下载上传网速都显示为0kb/s，就暂时不放出了;

主要更新内容：
1.更新LMK代码为google/kernel-msm最新代码，根据6200/640的RAM调节了一些代码;
2.增加读取缓存(read_ahead)为1024kb，媒体扫描速度大增，读取性能也有提升;
3.定义logcat大小(LOGCAT_SIZE)，并降低为128(默认256),有益于6200/640的内存
   (在完全稳定后，我就把logcat关了，此功能对性能还是有影响的)
4.NEON优化，对VFP使用cortex-a8参数优化;
5.多任务稳定性调节(oon_kill)，亲测能同时运行UC(大内存程序)，百度贴吧(大内存程序)，音乐播放器(Poweramp: 中等内存程序);
6.GPU优化，调节了GPU的频率表，更新了一些新代码，触摸起来会更加顺畅;
7.全局使用-O3参数编译，该参数是最佳优化，可能对一些代码的稳定性有影响，不过利大于弊;
8.3.7内核的workqueue反向移植进来;
9.3.11内核的rwsem反向移植进来;
10. 为ARM的SHA1/SHA256/SHA512/AES提供特别优化;
11.内核压缩算法优化;
12.intelli_plug默认阀值调节，适用于6200/640;
13.去除了比较鸡肋的内核模块功能(/system/lib/modules);
14.一些忘掉的小细节优化;
使用：
觉得内存控制比以前好多了，触摸延迟感变低，响应速度真心快了不少;
另外，希望用我制作的ROM机油耐心等待，那个ROM确实还存在一些问题，
但因为最近比较忙，暂时无法修改了，月底前放个修复包吧。

注意：intelli_plug在充电，高强度使用会造成机身发热问题，如果不满过热，请修改/system/etc/init.qcom.post_boot.sh;修改方法在此脚本中注释，不建议开启MPDecision。intelli_plug驱动导致发热的问题，正在发现如何解决中;


有问题请反馈;

下载地址：
LU6200：

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SU640：

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(以下内容已包含在新内核中)


更新 2015.7.19
还在开发新功能中，由于上一版误开-Os优化参数，导致问题很多，先放出开发版，不要开启内核的双击唤醒和滑动唤醒。图形性能比较低，无其他已知BUG
UC上百度知道重启问题已修复。

(以下内容已包含在新内核中)



内核更新内容
1.使用LZO 压缩内核;
2.intelli_plug 更新到 4.0版本，省电调节;
3.原创aurora(极光)CPU调度器，基于elementalx;
4.优化intellimm CPU调度器，省电调节;
5.更新Google官方interactive CPU调度器到最新版(backport from common/android-3.4);
6.af_unix加速;
7.最新bfq-v8r5 IO调度器;
8.更新CAF的ROW IO调度器;
9.使用GCC 4.7工具链编译;
10.优化vfp，neon;

总之，这次完全为了省电调节。正常情况下，这次的内核应该比上次流畅&省电;具体看使用情况决定;

主流简迷离

风灼 发表于 2015-7-19 15:09
uc问题解决了，更新补丁看看，话说自己能不能反编译framework-res减少手机射频耗电？看了楼主的framewo ...

OK，反编译再回编译后，记得把原始签名拖进编译后的apk里，不放心可以先备份system分区，这个ROM我会修复的

主流简迷离

双击唤醒和滑动唤醒问题比较多，屏幕睡眠机制还没发现如何修改，可能会放弃这两个功能

主流简迷离

风灼 发表于 2015-7-12 18:23
和以前一样吗，刷前不wipe，刷后仅wipe cache?

都不用wipe，没有修改dalvik相关内容

w415823769

触摸流畅度度不错，感觉滑动不是很流畅，还有有时候用浏览器输入法掉不出来，在浏览器这一块感觉像是有延迟一样。。。别的暂时没发现

-坑爹的温柔。

下载来看看空间看看

风灼

这几天反编译后重启了几次后有效果，省电明显，冻结谷歌服务后可以待机一天多了，试试23新补丁

主流简迷离

zzl8020 发表于 2015-7-24 00:13
支持好的内核，性能省电都很重要

哈哈，可以鱼与熊掌不可兼得，尤其是6200的老芯片，功耗大，性能却不是特别好。

主流简迷离

阴天的太阳 发表于 2015-7-23 21:33
内核可以不双清刷入吗？

不用清的，直接刷入就OK

主流简迷离

w415823769 发表于 2015-7-12 10:24
gcc4.7不是兼容性不好吗？还有intell-plug4.0不是以性能为主，比较耗电吗？怎么这次都用了？
...

intelli_plug被我改过了，至于gcc 4.7，我用的是没有预处理优化的，没有问题的，但是用了之后感觉效果不是很好，下次还是换回我自己编译的工具链，intelli_plug还是需要修改，下次也试试移植双击唤醒

主流简迷离

即墨路神乙 发表于 2015-7-12 00:36
其他的rom可以用吗？4.1的。

只要是LG官方ROM修改来的，不是第三方系统都能用，第三方系统如MIUI, CM等

扒开

好好好好好好好好

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挺好啊

zzl8020

支持，内核很重要

lovefoodball

thank...............

翁科洲

谢谢分享，辛苦你了！

13590764865

正需要，老大辛苦了！

zzl8020

流畅度比前次好多了，稳定性待测

musicqing

精神支持下

zzl8020

用着真不错，楼主幸苦了，不得不回复一下